时间：2025/4/30 18:51:58
阅读：17
SI2303CDS 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小尺寸封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用。其工作电压范围较宽，能够承受较高的漏源电压，同时具备优异的热性能和电气特性。
该型号中的 '-TI-GE3' 通常表示特定的封装类型或供应商代码，具体取决于分销商或制造商的命名规则。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5.2A
导通电阻(Rds(on))：0.07Ω（在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：1.4W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
SI2303CDS 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，适合高频开关应用。
3. 小尺寸 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 较高的漏源电压额定值，增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设计需求。
6. 良好的热稳定性和抗静电能力，提高了系统的整体安全性。
SI2303CDS 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS) 的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电池供电设备的负载开关。
4. 消费类电子产品中的电源管理。
5. 电机驱动和保护电路。
6. 便携式设备如智能手机和平板电脑的充电管理模块。
由于其高效的性能和紧凑的设计，该器件特别适合空间受限但对能效要求较高的应用场景。
SI2301DS, SI2302DS, BSS138
