类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：120V
　　最大漏极电流（Id）：48A（连续）
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约12mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（Pd）：约160W

HSU48N12A具有多个显著的特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET的高耐压能力（120V）使其适用于中高压电源应用，如DC-DC转换器、电机控制器和电源管理系统。此外，HSU48N12A的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定的温度控制。
　　HSU48N12A还具有快速的开关特性，能够支持高频操作，这对于需要快速响应和高效率的功率转换应用非常重要。其栅极驱动要求较低，能够在较低的栅极电压下实现完全导通，进一步降低了驱动电路的复杂性和成本。此外，该MOSFET的可靠性和耐用性经过严格测试，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　另一个重要特性是HSU48N12A的过热保护能力。在极端工作条件下，MOSFET的温度可能会升高到危险水平。HSU48N12A内置的热保护机制能够在温度超过安全范围时自动关闭器件，从而防止损坏并延长使用寿命。

HSU48N12A广泛应用于各种高功率和高频电子设备中。常见的应用包括电源管理模块、DC-DC转换器、电动工具和电机控制器、LED照明系统、电池管理系统（BMS）、逆变器和UPS（不间断电源）系统。此外，由于其高可靠性和耐用性，HSU48N12A也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动车辆的动力系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。

TK48N120W5C2AG4S, STP48N120C2AG4S