时间：2025/5/28 18:18:24
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EDI88130LPS25NB是一款高性能的功率MOSFET器件，采用N沟道增强型技术。该芯片主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效能功率控制的场景。它具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性，能够有效减少系统功耗并提高整体效率。
该型号由知名半导体制造商提供，专为要求高可靠性和稳定性的工业和消费类应用设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：27A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：75nC
开关速度：超高速
封装形式：TO-247
EDI88130LPS25NB具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场景。
3. 具备出色的热性能，能够在高温环境下长期稳定工作。
4. 内置保护功能，包括过流保护和短路保护，从而提高了器件的可靠性。
5. 符合RoHS标准，绿色环保无铅工艺制造。
6. 紧凑型封装设计，便于集成到各种电路板中。
该芯片广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于提升电源转换效率。
2. DC-DC转换器中的同步整流电路。
3. 工业电机驱动和控制系统。
4. 太阳能逆变器和储能设备。
5. 电动车及混合动力车的动力管理系统。
6. 各种需要高效功率管理的电子设备，如笔记本电脑适配器和服务器电源模块。
IRF840,
STP100N10,
IXTH10N100,
FDP13N10
