类型：肖特基二极管
　　封装类型：SOT-23
　　最大正向电流：20 mA
　　最大反向电压：7 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　结电容（@ 0V，1 MHz）：0.25 pF
　　正向电压（@ 1 mA）：≤ 0.3 V
　　反向漏电流（@ 5 V）：≤ 10 nA
　　频率范围：DC 至 10 GHz
　　二极管配置：单个

HSMS8101TR1G的核心特性之一是其极低的结电容，典型值为0.25 pF，在高频电路中能够显著降低信号损耗，提高电路的响应速度和效率。此外，该器件的正向压降非常低，通常在1 mA电流下不超过0.3 V，有助于降低功耗并提高能效。
　　该肖特基二极管具有快速恢复时间，适用于高频开关应用，其响应时间非常短，可确保信号的完整性。HSMS8101TR1G的反向漏电流极低，一般在5 V反向电压下不超过10 nA，保证了在高阻抗电路中的稳定性。
　　由于其SOT-23封装体积小、重量轻，适合用于便携式设备和空间受限的高频电路板设计中。同时，该封装具有良好的热稳定性和机械强度，能够在恶劣环境中稳定工作。
　　HSMS8101TR1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用环境，具有良好的稳定性和可靠性。

HSMS8101TR1G广泛应用于射频和微波电路中，如射频检波器、混频器、频率倍增器、调制器和限幅器等。其高频性能使其成为无线通信系统中的关键元件，包括蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙和其他射频模块的设计。
　　该器件也常用于测试和测量设备，如频谱分析仪、信号发生器和射频功率计等，用于构建高性能的射频前端电路。在雷达和卫星通信系统中，HSMS8101TR1G可用于实现高灵敏度和低噪声的信号处理电路。
　　此外，HSMS8101TR1G还可用于高速开关电路、自动频率控制（AFC）电路、调谐电路和低噪声放大器（LNA）的偏置电路中。其低电容和低正向压降特性使其在射频能量采集和无线传感器网络中也具有应用潜力。

HSMS2850, HSMS2852, BB112, BAR64