时间：2025/7/7 11:46:28
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PST3527UR是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN33-8封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于多种开关和负载驱动应用。其出色的性能使其成为便携式设备、计算机外设以及消费类电子产品中的理想选择。
该器件的工作电压范围宽广，能够承受较高的漏源电压，并且具备快速开关特性，有助于提高效率并减少功率损耗。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
最大漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：10nC
连续工作结温范围：-55℃至+150℃
PST3527UR拥有非常低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提升整体系统效率。
它还具备较高的雪崩耐量能力，能够在异常条件下提供额外的保护。
此外，PDFN33-8封装具有较小的占位面积和较低的热阻，从而有利于简化PCB布局设计并优化散热性能。
该器件的快速开关速度可以有效减少开关损耗，同时保持较低的电磁干扰水平。
PST3527UR广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统以及各种电源管理场景中。
其高性能特点使其非常适合于智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及其他便携式电子设备。
同时，由于其出色的效率和可靠性，该器件也被推荐用于汽车电子中的辅助功能模块。
PST3526UP, IRF7843, AO3400
