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PST3527UR 发布时间 时间:2025/7/7 11:46:28 查看 阅读:13

PST3527UR是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN33-8封装形式。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于多种开关和负载驱动应用。其出色的性能使其成为便携式设备、计算机外设以及消费类电子产品中的理想选择。
  该器件的工作电压范围宽广,能够承受较高的漏源电压,并且具备快速开关特性,有助于提高效率并减少功率损耗。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  最大漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):10nC
  连续工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

PST3527UR拥有非常低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提升整体系统效率。
  它还具备较高的雪崩耐量能力,能够在异常条件下提供额外的保护。
  此外,PDFN33-8封装具有较小的占位面积和较低的热阻,从而有利于简化PCB布局设计并优化散热性能。
  该器件的快速开关速度可以有效减少开关损耗,同时保持较低的电磁干扰水平。

应用

PST3527UR广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统以及各种电源管理场景中。
  其高性能特点使其非常适合于智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及其他便携式电子设备。
  同时,由于其出色的效率和可靠性,该器件也被推荐用于汽车电子中的辅助功能模块。

替代型号

PST3526UP, IRF7843, AO3400

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