WESD20V0BW4 是一款基于硅技术的 TVS (瞬态电压抑制器) 芯片,用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、雷击和其他瞬态过电压事件的影响。该器件具有低电容特性,适用于高速信号线和数据接口的保护。其封装形式为 SOD-962 (DFN1006),尺寸小巧,非常适合空间受限的应用场景。
该芯片的工作电压范围能够满足 USB 2.0/3.0、HDMI、MIPI 等高速接口的需求,并提供高能效的瞬态抑制能力。
工作电压:20V
反向 standoff 电压:17.5V
峰值脉冲电流:88A
钳位电压:31.1V
结电容:0.4pF
响应时间:1ps
漏电流:1μA(最大值)
WESD20V0BW4 提供了卓越的 ESD 防护性能,符合 IEC61000-4-2 国际标准,可承受 ±20kV(接触放电)和 ±30kV(空气放电)的 ESD 冲击。
此外,它还具有超低的结电容和快速的响应时间,确保在高速数据传输过程中不会对信号完整性造成影响。
其紧凑的封装设计使其成为便携式设备的理想选择,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费类电子产品。
WESD20V0BW4 广泛应用于需要高性能 ESD 保护的场景,包括但不限于:
1. USB 2.0/3.0 接口保护
2. HDMI 和 DisplayPort 数据线保护
3. MIPI 接口防护
4. 无线通信模块(如 Wi-Fi、蓝牙)的射频端口保护
5. 工业控制和汽车电子中的信号线防护
由于其低电容和快速响应的特点,这款芯片特别适合高速信号线路的保护需求。
PESD20V0BW4L, SMAJ20A