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HSMS-281E-TR2G 发布时间 时间:2025/9/15 12:55:18 查看 阅读:12

HSMS-281E-TR2G 是由安华高(Avago Technologies)推出的一款表面贴装封装(SMT)形式的硅 PIN 二极管,主要用于射频和微波应用中的开关和检波功能。该器件采用先进的制造工艺,具有优异的射频性能和稳定性,适用于各种高频电路设计。HSMS-281E-TR2G 采用 SC-79(SOT-363)封装,便于自动化贴片组装,适合在空间受限的高密度电路板上使用。

参数

型号: HSMS-281E-TR2G
  制造商: Avago Technologies
  封装类型: SC-79(SOT-363)
  器件类型: 硅 PIN 二极管
  频率范围: DC 至 10 GHz
  最大反向电压: 20 V
  正向电流(最大值): 100 mA
  工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  存储温度范围: -65°C 至 +150°C
  湿度敏感等级: 1(MSL1)

特性

HSMS-281E-TR2G 是一款高性能的硅 PIN 二极管,具备卓越的射频和微波频率响应能力。其主要特性包括宽频率覆盖范围(DC 至 10 GHz),使其适用于多种射频开关和调制解调应用。该器件具有低电容(典型值为 0.2 pF),有助于减少信号失真并提高高频下的响应速度。
  此外,HSMS-281E-TR2G 具备较高的反向击穿电压(20 V),增强了在高功率环境下的可靠性。正向电流容量为 100 mA,适合多种中低功率射频控制应用。采用 SC-79(SOT-363)封装,不仅节省空间,还提高了热稳定性和机械强度,适用于表面贴装工艺和自动化装配流程。

应用

HSMS-281E-TR2G 主要应用于射频和微波通信系统中的开关、调制器和检波器电路。其高频特性使其非常适合用于无线基站、测试测量设备、雷达系统以及射频识别(RFID)设备中的信号控制模块。

替代型号

HSMS-281C-TR2G, HSMS-285C-TR2G, HSMS-285E-TR2G

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HSMS-281E-TR2G参数

  • 数据列表HSMS-281x
  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大)20V
  • 电流 - 最大1A
  • 电容@ Vr, F1.2pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)