供电电压范围：4.5V 至 75V
　　输出驱动电流：典型值 1.2A（峰值）
　　工作温度范围：-40°C 至 150°C
　　封装形式：8 引脚 VSSOP
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS 兼容
　　欠压锁定（UVLO）阈值：约 3.9V（典型值）
　　传播延迟：典型值 60ns
　　上升/下降时间：典型值 20ns（1000pF 负载）
　　最大工作频率：1MHz
　　输入引脚最大电压：-0.3V 至 6V

LM74704-Q1 采用高压自举架构，能够驱动高侧 N 沟道 MOSFET，适用于升压、半桥或全桥拓扑结构。其内部集成的自举二极管可减少外部元件数量，提升系统可靠性。
　　该器件具有宽输入电压范围（4.5V 至 75V），适应多种电源应用环境。其输出驱动能力高达 1.2A 峰值电流，可快速开关功率 MOSFET，降低开关损耗。
　　内置欠压锁定（UVLO）功能可在电源电压不足时关闭输出，防止 MOSFET 工作在非安全区域。输入端支持 TTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，便于与控制器连接。
　　LM74704-Q1 采用热增强型 8 引脚 VSSOP 封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合在紧凑的汽车电子模块中使用。其传播延迟和上升/下降时间均具有高度一致性，确保在高频开关应用中的稳定性。
　　此外，该芯片具备出色的抗干扰能力，能够在高噪声环境中稳定工作，适用于车载电源转换器、电机驱动器、DC-DC 转换器等应用场景。

LM74704-Q1 主要应用于汽车电子系统中的功率 MOSFET 驱动，包括车载 DC-DC 转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）以及高侧开关电路等。其高压能力和高驱动电流特性，使其在汽车 12V、48V 电源系统中表现出色。

LM5101B-Q1, IRS2104S, UCC27211A-Q1