时间：2025/9/16 5:01:35
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HSMS-281E-TR1G是一款由安捷伦科技（Agilent Technologies）制造的表面贴装型肖特基二极管混频器芯片。该器件适用于高频应用，常用于射频（RF）和微波信号的混频处理。HSMS-281E-TR1G采用双平衡混频器结构，具有良好的隔离度和低转换损耗，适用于通信系统、测试设备、雷达和无线基础设施等多种高频应用。该芯片采用无铅封装，符合RoHS标准。
工作频率范围：50 MHz ~ 2 GHz
输入功率范围：-30 dBm ~ +20 dBm
转换损耗：典型值6.5 dB
LO驱动电平：+7 dBm
LO到RF隔离：典型值25 dB
LO到IF隔离：典型值25 dB
RF到IF隔离：典型值20 dB
封装类型：SOT-26
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
HSMS-281E-TR1G的主要特性包括宽频带操作，覆盖从50 MHz到2 GHz的频率范围，适用于多种射频应用。
其双平衡混频器结构可提供良好的端口隔离性能，减少信号干扰，提高系统稳定性。
该器件具有较低的转换损耗，典型值为6.5 dB，确保了高效的信号转换能力。
LO驱动电平要求为+7 dBm，便于与常见的本地振荡源（LO）信号源接口。
LO到RF和LO到IF的隔离度分别为25 dB，有效防止LO信号泄漏到输入或输出端口。
RF到IF的隔离度为20 dB，有助于减少混频过程中的信号串扰。
HSMS-281E-TR1G采用紧凑的SOT-26表面贴装封装，便于集成到PCB设计中，同时支持无铅焊接工艺。
其宽工作温度范围（-55°C至+125°C）使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。
HSMS-281E-TR1G广泛应用于射频和微波通信系统中，作为混频器用于将射频信号与本地振荡信号混合，生成中频（IF）信号。
在无线基础设施中，该器件可用于基站接收机前端，实现信号下变频处理。
该芯片也适用于测试测量设备，如频谱分析仪和信号发生器，用于信号转换和频率合成。
在雷达系统中，HSMS-281E-TR1G可用于接收通道的信号混频，以提取目标回波信息。
此外，它还可用于工业控制系统、传感器网络和射频识别（RFID）系统中的信号处理模块。
其低转换损耗和高隔离度特性使其成为高精度射频测量和通信设备的理想选择。
HSMS-282E-TR1G, HSMS-2812-TR1G, ADL5350ACPZ-R7, HMC414LC3BTR
