时间：2025/6/22 5:45:03
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FN18N272J500PBG是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）生产。该器件采用N沟道增强型设计，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。其封装形式为PBG（Power Block Grid），具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
该芯片通过优化的制造工艺实现了出色的性能参数，在工业控制、消费电子以及汽车电子等领域得到了广泛应用。
最大漏源电压：272V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：500mΩ
栅极电荷（典型值）：38nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：PBG
FN18N272J500PBG的主要特性包括：
1. 高耐压能力：272V的最大漏源电压使其能够适应高压环境下的应用需求。
2. 低导通电阻：500mΩ的导通电阻降低了功率损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷使得开关时间更短，适合高频操作场景。
4. 高可靠性：经过严格的测试与验证，确保在极端温度条件下的稳定运行。
5. 紧凑型封装：PBG封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准：环保设计满足国际法规要求。
这款功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- 适配器和充电器
- 工业电源
2. DC-DC转换器：
- 降压/升压电路
- 分布式电源系统
3. 电机驱动：
- 家用电器中的无刷直流电机
- 工业自动化设备中的伺服电机
4. 汽车电子：
- 车载充电器
- 电动助力转向系统（EPS）
5. 其他应用：
- 固态继电器
- 电池保护电路
IRFZ44N, FQP17N20, STP18NF27
