HSMP3823TR1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高灵敏度、低功耗、射频能量采集二极管。该器件主要用于无线射频识别(RFID)、近场通信(NFC)和能量收集系统中,能够将接收到的微弱射频信号转换为直流电压,为低功耗电子设备提供能量。该二极管采用先进的硅肖特基二极管工艺制造,具有快速响应时间和高效率,适用于无源传感器网络、物联网(IoT)设备和智能标签等应用。
类型:肖特基二极管
工作频率范围:100 MHz - 10 GHz
最大输入功率:+20 dBm
正向电压降(@10 μA):约0.2 V
反向漏电流(@25°C):<10 nA
响应时间:<1 ns
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
HSMP3823TR1G 的核心特性之一是其卓越的能量转换效率,尤其是在低输入功率条件下仍能维持较高的输出电压水平。这使其成为远场RF能量收集的理想选择。
该器件的工作频率范围广泛,从100 MHz到10 GHz,可支持多种无线通信标准,如UHF RFID(860 MHz至960 MHz)、2.4 GHz ISM频段等,具有良好的频率适应性。
其低正向电压降(在10 μA时约为0.2 V)和极低的反向漏电流(低于10 nA)使其在微功率应用中表现出色,有助于最大限度地减少能量损失并提高系统整体能效。
此外,HSMP3823TR1G 的响应时间小于1纳秒,确保了其在高频信号环境下的快速响应能力,能够有效地捕捉瞬时RF信号并将其转化为可用的直流电能。
该器件采用SOT-23封装,体积小巧且便于集成到印刷电路板中,同时具备较高的热稳定性和机械可靠性,适用于工业级温度范围(-55°C至+150°C),确保在各种严苛环境下的稳定运行。
HSMP3823TR1G 主要用于各种射频能量收集系统,如RFID读卡器和标签中用于收集环境中的射频能量以供电或辅助供电。
在NFC系统中,该器件可用于增强无源设备的能量获取能力,提升通信距离和数据传输稳定性。
它还广泛应用于低功耗无线传感器网络,如温湿度传感器、振动监测器等,通过捕获环境中存在的Wi-Fi、蜂窝或其他射频信号来延长电池寿命或实现完全无电池运行。
此外,HSMP3823TR1G 还可用于便携式医疗设备、智能穿戴设备和物联网终端设备中,作为能源管理方案的一部分,支持设备在远离电源插座或更换电池困难的环境中长期运行。
由于其高频性能良好,该器件也适用于测试与测量设备中的射频信号检测与分析电路。
HSMS2850, BAP64-02W, SMS7630-079