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IWS-L2012-CW-LHC 发布时间 时间:2025/6/9 18:16:06 查看 阅读:4

IWS-L2012-CW-LHC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能微波功率晶体管,专为高频射频应用设计。该型号采用先进的封装技术以提高散热性能和可靠性,适用于高效率射频功率放大器及无线通信系统。
  这款晶体管在 L 波段频率范围内表现出色,具有高增益、高线性度和高功率附加效率(PAE)的特点。它广泛应用于雷达、卫星通信以及商业和军事领域的射频设备中。

参数

型号:IWS-L2012-CW-LHC
  类型:射频功率晶体管
  材料:氮化镓(GaN)
  频率范围:900 MHz 至 2.5 GHz
  输出功率:100 W 峰值
  增益:12 dB(典型值)
  电源电压:28 V
  直流功耗:15 A(最大值)
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:陶瓷气密封装

特性

IWS-L2012-CW-LHC 的主要特性包括:
  1. 高效率:得益于 GaN 材料的优异性能,该器件在高频下仍能保持较高的功率附加效率(PAE),通常大于 60%。
  2. 宽带操作能力:其工作频率覆盖了从 900 MHz 到 2.5 GHz 的范围,适合多种宽带应用。
  3. 高可靠性和耐用性:通过采用陶瓷气密封装技术,确保了器件在恶劣环境下的长期稳定运行。
  4. 内置匹配网络:集成输入/输出匹配网络,简化外部电路设计,同时提升整体性能。
  5. 低热阻设计:优化的热管理方案能够快速散发热量,进一步增强器件的工作寿命与稳定性。

应用

IWS-L2012-CW-LHC 主要应用于以下领域:
  1. 雷达系统:提供大功率射频信号源,用于气象雷达、空中交通管制雷达等。
  2. 卫星通信:支持地面站发射机中的高效射频功率放大功能。
  3. 无线基础设施:如蜂窝基站、点对点微波链路中的功率放大模块。
  4. 医疗成像:某些医疗设备需要高功率射频源时可选用此晶体管。
  5. 测试测量仪器:作为标准测试平台中的核心元件来验证其他射频组件性能。

替代型号

IWS-L2012-CW-HC, IWS-L2012-NB-LHC

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