时间：2025/9/15 1:30:45
阅读：12
BUK98180-100A/CUX 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流、高效率的电源管理应用。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于工业控制、电源转换、电动工具、电机驱动等高要求的电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：180A（在 Tc=25℃）
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 3.8 mΩ（在 VGS=10V）
功率耗散（PD）：330W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
BUK98180-100A/CUX 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。在 VGS=10V 的条件下，RDS(on) 最大值仅为 3.8 mΩ，这对于需要大电流和高效率的系统设计非常关键。
其次，该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，提供更高的单位面积电流密度，同时降低开关损耗。这种技术不仅提升了 MOSFET 的性能，还增强了其在高频开关应用中的可靠性。
此外，BUK98180-100A/CUX 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理能力，适合高功率密度设计。该封装形式便于自动化装配，同时具备优异的散热性能，确保器件在高负载下仍能稳定运行。
该 MOSFET 支持高达 180A 的连续漏极电流，在高温环境下仍能保持良好的性能。其宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃）使其适用于各种严苛的工作环境，如工业电机控制、电动工具、DC-DC 转换器等。
最后，该器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），允许使用标准的驱动电路进行控制，简化了系统设计并提高了兼容性。
BUK98180-100A/CUX 主要应用于需要高电流和高效率的电源管理系统。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电动工具、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）、功率因数校正（PFC）电路等。
在 DC-DC 转换器中，BUK98180-100A/CUX 可用于高效能的同步整流，显著降低导通损耗，提高转换效率。由于其低 RDS(on) 和高电流能力，特别适合用于高功率密度设计。
在电机驱动器和电动工具中，该 MOSFET 能够承受大电流负载并快速开关，提供稳定可靠的功率输出。其良好的热性能确保在长时间高负载运行下仍能保持稳定。
此外，BUK98180-100A/CUX 也可用于电池管理系统（BMS），作为充放电控制开关，其高可靠性和宽温度范围使其适用于各种电池供电系统，包括电动车、储能系统等。
在工业自动化设备中，该器件可用于高精度的功率控制电路，支持快速响应和高效能运行。
SiR178DP-T1-GE, IRF1405PBF, IPB180N10N3 G, STP180N10F7
