时间：2025/5/12 12:59:07
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P62BN820MA2636 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，通常用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其封装形式为 TO-263（DPAK），便于散热设计与 PCB 布局优化。此外，它还具备出色的热稳定性和可靠性，适用于需要高效能与稳定性的工业及消费类电子产品。
最大漏源电压：820V
连续漏极电流：6.9A
导通电阻：4.5Ω
栅极电荷：45nC
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263
P62BN820MA2636 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：支持高达 820V 的漏源电压，适用于高压环境下的各种应用场景。
2. 低导通电阻：仅为 4.5Ω，可显著减少导通损耗，提高整体效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷使得器件能够实现快速开关，从而降低开关损耗。
4. 强大的电流承载能力：连续漏极电流可达 6.9A，满足大功率应用需求。
5. 宽广的工作温度范围：从 -55℃ 到 175℃，适应各种极端条件下的使用。
6. 可靠性高：经过严格测试，确保长期运行中的稳定性与耐用性。
P62BN820MA2636 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：包括适配器、充电器以及工业用开关电源等。
2. 电机驱动：如家用电器中的风扇、泵浦电机等。
3. 负载开关：在汽车电子和通信设备中用作高效的负载切换。
4. 逆变器：光伏逆变器和其他类型的电力转换系统。
5. 过流保护电路：利用其快速响应特性实现精准的过流保护功能。
IRF820, STW820N85, FDP820
