HSMN-C170 时间：2025/9/16 12:37:16 阅读：13

HSMN-C170是一种由Hyundai（现代）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。HSMN-C170采用SOP-8封装，具有较高的电流承载能力和良好的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值17mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

HSMN-C170 MOSFET具有多项优异的电气和热性能特点。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，使得在保持小型化的同时具备出色的电流处理能力。此外，HSMN-C170的SOP-8封装设计具有良好的热管理能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电压，同时也可兼容较低的驱动电压（如4.5V）工作，具有较高的设计灵活性。由于其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），HSMN-C170在高频开关应用中表现出色，适用于需要快速开关的DC-DC转换器和马达控制电路。
　　此外，HSMN-C170具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，能够在极端条件下保持器件的稳定性和可靠性，适用于工业级和汽车电子应用环境。

应用

HSMN-C170广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　? DC-DC降压/升压转换器
　　? 同步整流电路
　　? 负载开关和电源管理模块
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 电机驱动和功率开关电路
　　? 汽车电子和车载电源系统
　　? 工业自动化和控制设备
　　该器件的高效率和高可靠性使其成为现代电源设计中的重要组成部分，尤其适合对空间和效率要求较高的应用环境。