时间：2025/9/6 21:56:12
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HSB83YP是一款由ROHM（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效、高可靠性的电源管理应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（RDS(ON)）和优异的热稳定性，能够支持较高的连续漏极电流，适用于多种高功率应用场合。
类型：N沟道
最大漏极电压(Vds)：30V
最大源极电压(Vgs)：20V
最大连续漏极电流(Id)：200A
导通电阻(RDS(ON))：最大8.3mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：134W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：HSB8（双面散热封装）
HSB83YP具有优异的导通性能和热管理能力，这主要得益于其低导通电阻设计和高效散热的HSB8封装。该MOSFET在高电流应用中表现出色，能够有效减少功率损耗和热量产生，从而提高系统的整体效率。此外，HSB83YP的封装设计允许双面散热，增强了散热性能，适合用于空间受限但需要高效功率管理的设备。该器件还具备良好的抗雪崩击穿能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
HSB83YP常用于高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统、电动汽车充电系统以及工业自动化设备中的功率开关模块。其出色的导通特性和散热性能使其成为高性能电源管理解决方案的理想选择。
SiZ890DT, SQJQ124EP, HSB82YM
