类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4A（@25℃）
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.5Ω（@VGS=10V）

4N65/CJPF04N65 MOSFET具备多项优良的电气和热性能，适用于中高功率应用。其高耐压能力（650V）使其在开关电源和功率因数校正电路中表现出色。该器件的低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作。
　　其封装形式包括TO-220和TO-252（DPAK），便于在不同应用场景中安装和散热。TO-220封装适用于通孔焊接，具有良好的机械稳定性和散热能力，而TO-252则适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±20V，通常在VGS=10V时即可实现完全导通。此外，4N65/CJPF04N65还具备快速开关特性，适合高频开关应用，从而减小电源系统的体积和重量。
　　综合来看，4N65/CJPF04N65是一款性能稳定、适用范围广的功率MOSFET，适合于多种工业和消费类电子产品中的功率控制和转换应用。

4N65/CJPF04N65常用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动电源、电池充电器、电机驱动器、电磁炉、逆变器以及工业自动化控制系统等。其高耐压和良好的导通性能使其在需要中等功率控制的场合中表现出色。

FQP4N60C、IRF840、STP4NK60Z、K2645、CJPF04N65