晶体类型：NPN型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：1.5A
　　最大功耗（PD）：1W
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-126
　　频率响应：低频（LF）

HSB507的主要特性包括其优异的电流放大性能和较高的可靠性。其hFE值范围较广，可以根据具体应用需求选择不同等级的器件，以满足电路设计的精度要求。该晶体管的TO-126封装设计有助于良好的散热性能，从而确保在较高功率下的稳定运行。此外，HSB507还具备较低的饱和压降（VCE(sat)），这使其在开关应用中表现出色，能够有效减少能量损耗。
　　在实际应用中，HSB507常用于功率放大电路、开关电源、电机驱动以及各种通用放大器设计。由于其低频特性，它更适合用于音频放大器或低速开关应用，而不是高频通信电路。此外，该晶体管的耐用性和稳定性使其成为工业控制设备、家用电器和自动化系统中的理想选择。

HSB507通常应用于需要中等功率放大的电路设计中。例如，在音频放大器中，它可以作为输出级的功率放大器件，提供足够的驱动能力。此外，它还广泛用于直流电机控制、继电器驱动电路、电源管理模块以及各种开关电路中。在自动化控制系统中，HSB507可用于驱动执行机构，如电磁阀或小型电机。同时，由于其封装设计和良好的散热性能，HSB507也适用于需要长时间连续工作的工业设备。

2N3055, TIP31C, BD139