最大正向平均电流（IF(AV)）：8A
　　最大反向峰值电压（VRM）：100V
　　正向压降（VF @ IF=8A）：≤0.55V
　　最大反向漏电流（IR @ VR=100V）：≤10μA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

SB850CT 的核心特性包括其低正向压降（通常在0.45V至0.55V之间），这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。由于采用肖特基势垒结构，该二极管具有非常快速的开关特性，几乎无反向恢复时间（trr），非常适合高频应用。其TO-220AB封装提供了良好的散热性能，能够承受较高的电流负载。此外，SB850CT具备良好的热稳定性和机械强度，能够在严苛环境下稳定工作。
　　该器件的反向漏电流非常低，在100V反向电压下通常不超过10μA，有助于提高电路的稳定性和可靠性。SB850CT的制造工艺符合工业标准，确保了其在各种应用中的长期耐用性和一致性。它还具备良好的焊接性能，便于自动化装配和大批量生产。

SB850CT 主要应用于各类电源转换系统中，如AC-DC电源适配器、DC-DC变换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统、太阳能逆变器以及LED照明电源。由于其高效的整流性能和快速响应能力，该二极管常用于高频率整流电路中，以提升电源效率并减小变压器和电感元件的尺寸。此外，SB850CT也可用于反向电流保护电路、极性保护电路以及低电压大电流整流应用。在电动车充电器、通信设备电源、工业自动化控制系统中也广泛使用该型号二极管。

SB860CT, SR850, 8A05, 1N5822, MBR850