时间：2025/7/16 12:17:15
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HOA0963-P51 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片采用了先进的制造工艺，在导通电阻和开关性能方面表现优异，适用于各种电源管理和功率转换系统。
其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等标准功率封装，便于在工业及消费类电子领域中广泛部署。此外，HOA0963-P51 具备出色的热性能和电气稳定性，能够满足严苛环境下的工作需求。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
持续漏极电流（ID）：47A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：80nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1680pF（典型值）
功耗（Ptot）：140W（取决于封装）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
HOA0963-P51 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 提供多种封装选择，以适应不同的安装需求。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端条件下保持稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特点使得 HOA0963-P51 成为许多高功率密度设计的理想选择。
HOA0963-P51 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率级 MOSFET。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理模块。
5. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
6. 工业设备中的功率控制和转换组件。
由于其出色的性能，HOA0963-P51 在需要高效功率转换和低损耗的应用中具有显著优势。
IPA60R089P7,
STP45NF06,
IRFZ44N
