H26M52001FMR 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片设计用于需要高速数据访问和较大存储容量的应用场景,具备较高的可靠性和性能表现。H26M52001FMR 采用标准的DRAM架构,适用于多种电子设备和系统。
容量:256Mbit
组织结构:16M x 16
电源电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
数据速率:166MHz
访问时间:5.4ns
时钟频率:166MHz
数据宽度:16位
封装尺寸:54引脚
H26M52001FMR 具备以下主要特性:
1. **高性能**:该芯片支持高达166MHz的时钟频率,能够提供快速的数据访问速度,满足高性能系统的需求。
2. **低功耗设计**:尽管具备高速性能,但其电源电压范围为2.3V至3.6V,有助于在多种应用中实现较低的功耗。
3. **宽温度范围**:工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境和恶劣条件下的运行。
4. **高可靠性**:采用先进的制造工艺,确保芯片在长时间运行中的稳定性和可靠性。
5. **TSOP封装**:该芯片采用TSOP封装形式,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适用于空间受限的应用场景。
6. **兼容性好**:支持标准的DRAM接口,能够与多种主控芯片和系统平台兼容,便于集成和设计。
7. **大容量存储**:256Mbit的容量和16M x 16的组织结构,使其适用于需要较大存储空间的应用,如嵌入式系统、网络设备和工业控制设备。
H26M52001FMR 主要应用于以下领域:
1. **嵌入式系统**:用于需要大容量存储和高速数据处理的嵌入式设备,如工业控制、自动化系统和智能仪表。
2. **网络设备**:适用于路由器、交换机等网络设备,提供高速缓存和临时数据存储功能。
3. **消费电子产品**:用于高端消费电子产品,如数字电视、机顶盒、游戏机等,提升系统性能和响应速度。
4. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,用于存储程序和运行时的数据。
5. **通信设备**:适用于无线基站、通信模块等设备,提供可靠的高速存储解决方案。
6. **测试和测量设备**:用于测试仪器和测量设备,确保高速数据采集和处理能力。
H26M52001FMR的替代型号包括:H26M52001AMR、H26M52001EMR、H26M52001FTR、H26M52001ETR