类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：400mA
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

HN58X2402T-SR MOSFET 具备多项优异的电气和机械特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下具有极低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。该特性在电池供电设备中尤为重要，因为它有助于延长电池寿命。
　　其次，该器件具有较高的栅极阈值电压稳定性，确保在各种工作条件下都能可靠地导通和关断。此外，HN58X2402T-SR 的 SOT-23 小型封装不仅节省空间，而且具备良好的热性能，能够在有限的PCB布局中有效散热。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗静电能力（ESD 保护），增强了器件在实际应用中的可靠性，特别是在自动化装配和现场使用过程中。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于各种恶劣环境，包括工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
　　最后，HN58X2402T-SR 在设计上优化了开关速度和导通损耗之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色，适用于 DC-DC 转换器、同步整流和负载开关等场景。

HN58X2402T-SR MOSFET 主要用于中低功率的电源管理与开关控制电路。其典型应用包括便携式电子设备中的负载开关、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）中的保护开关，以及各类低功耗电源适配器和充电器。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件常用于电源路径管理，实现对不同负载的高效控制。在工业控制系统中，HN58X2402T-SR 可用于驱动继电器、LED 背光模块和小型电机等负载。此外，由于其良好的热稳定性和紧凑的封装，该器件也广泛应用于汽车电子中的辅助电源系统和车载充电器中。

2N7002, 2N3904, BSS138, FDN340P