时间：2025/11/13 15:52:52
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CL21B152JBANNNC是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷贴片电容（MLCC）。该器件属于通用型陶瓷电容器系列，广泛应用于各类电子设备中，用于电源去耦、滤波、旁路、信号耦合与噪声抑制等电路功能。该型号采用标准的EIA 0805封装尺寸（2.0mm x 1.25mm），适用于自动化贴片生产工艺，具有良好的焊接可靠性和机械稳定性。CL21B152JBANNNC中的编码遵循三星的命名规则：CL代表陶瓷电容，21对应尺寸代码（即0805），B表示额定电压为50V，152表示电容值为1500pF（即1.5nF），J代表电容容差为±5%，B表示温度特性为X7R（-55°C至+125°C，电容变化不超过±15%），A代表端电极材料为镍/锡，NNNC为环保无铅且符合RoHS标准的编带包装信息。该电容采用高可靠性的陶瓷介质和内电极结构，具备较低的等效串联电阻（ESR）和良好的频率响应特性，适合在中高频电路中稳定工作。由于其优异的电气性能和小型化设计，CL21B152JBANNNC被广泛用于消费类电子产品、通信设备、计算机外设、工业控制模块以及汽车电子等领域。
电容值：1500pF (1.5nF)
容差：±5%
额定电压：50V DC
温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
封装尺寸：0805（EIA），2.0mm × 1.25mm
端电极类型：Ni/Sn（镍/锡）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
产品系列：CL
制造商：Samsung Electro-Mechanics
包装形式：卷带包装（NNNC表示无铅、符合RoHS）
介质材料：陶瓷（BaTiO3基）
直流偏压特性：随电压增加电容值略有下降，典型应用需考虑偏压影响
CL21B152JBANNNC作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备出色的温度稳定性和电压适应能力。其采用X7R类电介质材料，主要以钛酸钡（BaTiO3）为基础，并通过掺杂改性实现宽温范围内电容值的相对稳定。在-55°C到+125°C的工作温度区间内，电容的变化幅度控制在±15%以内，满足大多数工业与消费类应用对温度漂移的要求。同时，该器件的额定电压为50V DC，能够在中高压环境下长期可靠运行，适用于电源轨滤波或跨接在中等电压信号路径中。尽管X7R材料不具备如C0G/NP0那样的超低损耗和零温度系数特性，但其较高的介电常数使得在相同封装下可实现更大的电容容量，因此在空间受限的设计中具有明显优势。
该电容的0805封装形式兼顾了焊接可靠性与板级密度，在回流焊工艺中表现出良好的抗热应力性能，减少因温度循环导致的裂纹风险。其内部采用交错式内电极结构，有效降低等效串联电感（ESL），提升高频去耦效率，尤其适合用于IC电源引脚的局部退耦，抑制高频噪声传播。此外，CL21B152JBANNNC符合RoHS指令和无卤素要求，支持绿色环保制造流程，适用于出口型电子产品及高可靠性应用场景。值得注意的是，陶瓷电容存在直流偏压效应——即施加直流电压后实际电容值会下降。对于本型号，在接近50V工作电压时，实测电容可能降至标称值的70%-80%，设计时应参考厂商提供的偏压曲线进行降额使用，以确保系统稳定性。
CL21B152JBANNNC因其稳定的电气性能和紧凑的封装，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理电路中，它常用于开关电源（SMPS）输出端的滤波环节，配合其他电容形成多级滤波网络，平滑输出电压纹波。同时，该器件也大量用于集成电路（如MCU、FPGA、DSP）的电源引脚去耦，提供瞬态电流响应路径，防止因电源波动引起的误操作或信号失真。在模拟信号处理电路中，该电容可用于耦合与旁路功能，例如在运算放大器的反馈网络或音频信号链中实现交流通路隔离与噪声旁路。
在通信设备中，CL21B152JBANNNC可用于射频前端模块的偏置电路滤波，或作为匹配网络的一部分，协助阻抗调谐。其良好的高频响应特性使其能在数十MHz至数百MHz频段内保持较低的阻抗，从而有效抑制电磁干扰（EMI）。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器中，该型号常出现在DC-DC转换器周围、传感器接口电路以及USB电源线滤波部分。此外，得益于其-55°C至+125°C的宽工作温度范围，该电容也可用于工业自动化设备、车载信息娱乐系统及户外监控装置等对环境适应性要求较高的场合。在PCB布局设计中，建议将其尽可能靠近目标芯片放置，并采用短而宽的走线连接电源与地，以最大化去耦效果并减少寄生电感影响。
[
"GRM21BR71H152KA01L",
"C2012X7R1H152K",
"CL21B152KBANNNC",
"TC321B152JBBTNR"
]
