类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：160A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：7.9mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：12mΩ
　　功率耗散（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：HVSON 8引脚

PBQ79731PHPTQ1 的核心特性之一是其极低的导通电阻，分别在 Vgs=10V 和 Vgs=4.5V 时达到 7.9mΩ 和 12mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了功率转换效率。该器件的漏源耐压为 40V，能够承受较高的工作电压，适合用于中高压功率转换系统。
　　其次，PBQ79731PHPTQ1 具备高达 160A 的连续漏极电流能力，适用于大电流负载控制，例如电机驱动、电池管理系统和电源分配系统。其封装形式为 HVSON 8引脚，具备良好的热管理能力，能够在高功率密度环境下稳定工作。
　　此外，该 MOSFET 工作温度范围宽，支持 -55°C 至 175°C 的极端环境运行，适合在汽车、工业等复杂环境下使用。其 AEC-Q101 汽车级认证也确保了其在汽车电子系统中的可靠性和稳定性，广泛应用于车载充电器、起停系统、电动助力转向系统等。
　　最后，该器件具备快速开关特性，可支持高频操作，减少开关损耗，提高系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动损耗，适用于同步整流器、Buck/Boost 转换器等拓扑结构。

PBQ79731PHPTQ1 主要应用于汽车电子系统中的功率管理与控制，包括车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）系统以及起停系统等。其高电流能力和低导通电阻也使其适用于高性能电源管理模块，如服务器电源、通信设备电源和工业自动化控制系统。
　　在电机控制领域，该器件可用于高性能电机驱动器，支持高效、稳定的电机运行。此外，在负载开关应用中，PBQ79731PHPTQ1 可作为高效能电子开关，实现快速响应和低功耗控制。
　　由于其高频开关特性，该 MOSFET 还广泛用于同步整流器、功率因数校正（PFC）电路、多相电源模块等高效率电源拓扑结构中，满足对高性能功率器件的需求。

SiSSPM65R015P7-GE3, IPB019N04LC G, BSC090N04LS G