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T7H8166504DN 发布时间 时间:2025/8/7 4:21:25 查看 阅读:16

T7H8166504DN 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的电子元器件芯片,主要用于电力电子应用领域。该器件是一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于高功率、高效率的开关应用。T7H8166504DN 是专为工业设备、电源系统、逆变器和电机控制等场景设计的功率半导体模块,具备较高的可靠性和性能。IGBT模块结合了MOSFET的易驱动特性和BJT(双极型晶体管)的低导通压降特性,使其在高电压和高电流条件下运行表现优异。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压:600V
  最大集电极电流:50A
  工作温度范围:-40°C至150°C
  封装类型:双列直插式(DIP)
  安装类型:通孔安装
  导通压降:典型值为2.1V
  短路耐受能力:有
  隔离电压:2500Vrms
  热阻:结到壳热阻为0.35°C/W

特性

T7H8166504DN 具备多项先进的电气和热性能特性,能够满足高要求的电力电子应用需求。该模块采用了东芝先进的IGBT技术,使其在导通压降和开关损耗之间实现了良好的平衡,从而提高了整体能效。此外,该模块具备较高的短路耐受能力,能够在极端工况下保持稳定运行,提高了系统的可靠性。
  T7H8166504DN 的封装设计采用了标准的双列直插式(DIP)结构,便于在电路板上的安装和维护。该模块的隔离电压高达2500Vrms,提供了优异的电气隔离性能,确保了在高压环境下的安全运行。同时,其较低的结到壳热阻(0.35°C/W)使得模块在高负载条件下也能有效散热,防止过热导致的性能下降或损坏。
  该模块的工作温度范围广泛,可在-40°C至150°C之间稳定工作,适应各种恶劣环境。其最大集电极-发射极电压为600V,最大集电极电流为50A,适用于多种中高功率应用场景。

应用

T7H8166504DN 主要应用于工业自动化设备、电源转换系统、电机驱动器、逆变器、UPS(不间断电源)、电焊机、感应加热设备以及其他需要高功率开关的电子系统。该模块的高性能和可靠性使其成为电力电子领域的理想选择,尤其适用于对能效和稳定性要求较高的场合。
  在工业自动化领域,T7H8166504DN 可用于变频器和伺服驱动器中的功率开关元件,实现对电机速度和位置的精确控制。在电源系统中,该模块可用于DC-AC逆变器,将直流电源转换为交流输出,广泛应用于太阳能逆变器和储能系统。此外,该模块也可用于UPS系统中,提供高效的电力转换和备用电源支持。
  在电焊机和感应加热设备中,T7H8166504DN 的高开关频率和低损耗特性能够提高设备的能效和响应速度,提升整体性能。其优异的短路保护能力和热稳定性也使其在这些高要求应用中表现出色。

替代型号

T7H8166504DN 的替代型号包括东芝的其他IGBT模块,如 T7H8166504AN 和 T7H8166504BN,这些型号在参数和性能上相近,可根据具体应用需求进行选择。此外,一些其他厂商的IGBT模块也可以作为替代品使用,如英飞凌(Infineon)的 IKW50N60T 或意法半导体(STMicroelectronics)的 STGW50V65W。

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T7H8166504DN参数

  • 标准包装4
  • 类别半导体模块
  • 家庭SCR
  • 系列-
  • 结构单一
  • SCR 数目,二极管1 SCR
  • 电压 - 断路1600V
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)150mA
  • 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大)650A
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)1020A
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)8200A,9000A
  • 电流 - 维持(Ih)-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-200 变异型
  • 包装散装