时间：2025/9/7 12:21:13
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HN58C257AT-10是一款由日本瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的低电压CMOS静态随机存取存储器（SRAM），其容量为256Kbit（32K x 8）。该芯片采用高性能CMOS技术制造，具有高速访问时间、低功耗和宽工作温度范围等特点，适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等应用场景。
容量：256Kbit (32K x 8)
组织方式：x8
电源电压：2.3V ~ 3.6V
访问时间（最大）：10ns
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：TSOP
引脚数：52
读取电流（典型值）：10mA
待机电流（典型值）：10μA
HN58C257AT-10 SRAM芯片具有多个显著的特性，使其在嵌入式系统和工业应用中表现出色。
首先，该芯片支持低电压操作，其工作电压范围为2.3V至3.6V，这使其适用于多种低功耗设计，能够在不同的电源条件下保持稳定运行。这种宽电压范围也有助于提高系统的兼容性和灵活性。
其次，HN58C257AT-10具有高速访问能力，最大访问时间仅为10ns，能够满足对实时性和响应速度要求较高的系统需求。这使得该芯片非常适合用于高速缓存、数据缓冲和实时控制等应用场景。
此外，该SRAM芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，能够在严苛的环境条件下可靠运行。这一特性使其广泛应用于工业自动化、通信设备和车载系统等要求高稳定性和耐久性的领域。
在封装方面，HN58C257AT-10采用52引脚TSOP封装，体积小巧，便于PCB布局并节省空间。同时，其CMOS工艺提供了较低的功耗，在待机模式下电流仅为10μA，有助于延长电池供电设备的使用时间。
综上所述，HN58C257AT-10是一款性能稳定、功耗低、适用性广的SRAM芯片，适用于各种对存储器性能和可靠性要求较高的电子系统。
HN58C257AT-10 SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括工业控制设备、通信模块、嵌入式系统、网络设备、测试仪器和车载电子系统等。其高速访问能力和宽温特性使其特别适用于需要快速数据处理和稳定运行的场景，例如工业PLC、路由器缓存、智能电表数据存储等应用。
IS62C256AL-10T, CY62157EV30LL-10S, A29L032, HN58C257AT-12
