时间：2025/7/7 14:49:07
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IPB107N20N3是一款N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关速度之间实现了良好的平衡，适合用于各类电源管理、电机驱动以及负载切换等场景。其耐压能力高达200V，并具备出色的电流处理能力和热性能。
最大漏源电压：200V
最大连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷：40nC
输入电容：1000pF
总开关时间：60ns
工作温度范围：-55℃至150℃
IPB107N20N3具有较低的导通电阻，可有效减少传导损耗，从而提高系统效率。
该器件支持快速开关操作，有助于降低开关损耗。
内置反向恢复二极管，可以更好地应对高频开关环境中的反电动势问题。
其坚固的结构设计使其能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。
此外，该器件还具有优秀的热稳定性和可靠性，适用于恶劣的工作条件。
这款功率MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、电磁阀驱动器、逆变器以及各种工业自动化设备中。由于其出色的电气特性和可靠性，IPB107N20N3特别适合需要高效能量转换和精确负载控制的应用场景。
IPW107N20N3, IRF540N
