容量：28Gbit
　　类型：DRAM
　　封装形式：BGA（球栅阵列封装）
　　电源电压：1.8V或2.5V（视具体子型号而定）
　　接口类型：异步或同步DRAM接口
　　最大访问时间：30ns（纳秒）
　　工作温度范围：工业级（-40℃至+85℃）或商业级（0℃至70℃）
　　封装尺寸：根据具体封装规格而定
　　数据宽度：x1、x4、x8、x16等可选
　　刷新方式：自动刷新或自刷新模式

HN4827128G30 是一款高性能、高密度的DRAM芯片，具备优异的存储能力和稳定的工作性能。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的集成度，能够在复杂环境中保持稳定运行。其支持异步或同步工作模式，适应不同系统的数据存取需求，同时具备自动刷新和自刷新功能，以降低系统功耗并提高数据保存能力。
　　该芯片的高容量特性使其能够满足对存储需求较大的应用场景，例如高性能计算、数据中心服务器、嵌入式系统以及网络设备等。HN4827128G30 还具备良好的兼容性，能够与多种控制器和主芯片配合使用，从而提升整个系统的性能和可靠性。
　　此外，HN4827128G30 在封装上采用了BGA（Ball Grid Array）技术，提供更好的电气性能和散热能力，适用于高密度PCB布局设计。其工作温度范围广泛，包括工业级和商业级两种版本，可适应不同的工作环境。这种灵活性使其在工业控制、通信设备、消费类电子产品等领域均有广泛应用。

HN4827128G30 主要应用于需要大容量高速存储的电子设备中。典型的应用场景包括个人计算机和服务器内存模块、工业控制设备、网络交换机和路由器、视频监控系统、高端嵌入式系统以及图形处理单元（GPU）中的显存等。由于其高容量和快速存取特性，HN4827128G30 也被广泛用于需要临时数据缓存和高频数据交换的系统中，如通信基站、数据存储设备和自动化测试设备等。

HY57V281620FTP-6A, MT48LC28M16A2B4-6A, K4S281632E5B4-UCB0