类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：10A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.65Ω
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

2N3868A具备出色的电气性能和热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其高漏源击穿电压（400V）使其适用于多种高压应用场合。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V~20V），便于与多种驱动电路兼容。2N3868A的低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，其TO-220封装形式具有良好的散热性能，能够承受较高的功率耗散（最高125W），从而保证器件在高负载条件下的稳定性。该MOSFET还具备较快的开关速度，适用于高频开关电源和脉宽调制（PWM）控制系统。此外，其栅极保护二极管设计增强了器件的抗过压能力，提高了可靠性。2N3868A在短路和过载条件下仍能保持较好的性能，适用于需要高稳定性的工业和消费类电子设备。

2N3868A常用于各种电源管理电路中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器和电机驱动器。在工业自动化系统中，该MOSFET可用于控制继电器、电磁阀和小型电机。此外，它也适用于LED照明驱动电路、逆变器和不间断电源（UPS）系统。在消费类电子产品中，2N3868A可用于电源适配器、电源管理模块和智能插座等应用。由于其高耐压特性和良好的导通性能，该器件也可用于音频功率放大器和射频（RF）功率放大电路。

IRF740, 2N6797, IRF840