时间：2025/8/13 15:52:40
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LBAS40BST5G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极性晶体管（BJT）阵列，包含两个 NPN 晶体管。该器件适用于需要双晶体管配置的通用放大和开关应用，采用小型 SOT-23 封装，适合高密度 PCB 设计。LBAS40BST5G 是一款经济高效的解决方案，广泛用于消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子等领域。
晶体管类型：双 NPN 晶体管
集电极-发射极电压（Vceo）：40V
集电极电流（Ic）：100mA
功耗（Pd）：200mW
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110 到 800（根据档位）
封装类型：SOT-23
LBAS40BST5G 采用双晶体管设计，内部集成两个独立的 NPN 晶体管，可减少外部元件数量并提高电路集成度。每个晶体管具有良好的电流增益特性，hFE 值范围广，适用于多种放大和开关电路需求。
该器件的最大集电极-发射极电压为 40V，最大集电极电流为 100mA，支持在中等功率应用中使用。其高频响应能力（fT 高达 100MHz）使其适用于低频至中频放大电路。
LBAS40BST5G 采用 SOT-23 小型表面贴装封装，适用于自动化贴片工艺，节省 PCB 空间，适合高密度电路板设计。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适用于多种环境条件下的长期运行。
ON Semiconductor 为 LBAS40BST5G 提供了完整的数据手册和技术支持，便于工程师进行电路设计和参数优化。
LBAS40BST5G 主要用于需要双晶体管配置的电路中，如逻辑电平转换、缓冲器、驱动电路、放大器和开关控制电路。它在消费类电子产品（如智能家电、音频设备）、工业控制系统（如传感器接口、继电器驱动）、汽车电子（如车身控制模块、LED 驱动）等领域有广泛应用。
由于其高频特性，LBAS40BST5G 也适用于低频信号放大和射频前端电路。在数字电路中，它可以作为晶体管-晶体管逻辑（TTL）接口或用于构建简单的数字开关电路。
此外，该器件还可用于电源管理电路中的电流镜或负载开关，提供稳定的电流控制和电源隔离功能。
BC847BDSX、MUN5211DW1、2N3904、PN2222A
