时间：2025/8/29 12:16:03
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HN0325是一款常用的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器及功率放大器等电力电子设备中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A（在25℃下）
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）或TO-220
HN0325采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率。其最大漏极电流可达120A，在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，适用于高功率密度设计。
此外，HN0325的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与各类驱动电路匹配。其高耐压能力（30V Vds）使其适用于电池供电系统、DC-DC转换器、H桥电机驱动等应用场景。
器件封装采用TO-263或TO-220形式，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。内置的体二极管也具备一定的反向恢复能力，适用于开关频率较高的电路环境。
HN0325主要应用于以下领域：高效率开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动控制器、电动车控制器、电池管理系统（BMS）、逆变器、功率放大器以及各种需要高电流和低导通损耗的功率开关电路中。
SiS432DN, IRF1404, FDP3682, STP120N3LL
