时间：2025/5/9 15:12:54
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DTC044EEBTL 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，适用于多种功率转换和开关应用。它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够在高频条件下保持高效运行。
此 MOSFET 的设计使其成为消费电子、工业设备以及通信系统中的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：70mΩ
栅极电荷：13nC
总电容：280pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
DTC044EEBTL 提供了低导通电阻以减少传导损耗，从而提高整体效率。
其封装形式便于安装，并且具备良好的散热性能。
由于采用了先进的制造工艺，该器件在高频操作下表现出优异的开关特性。
此外，该 MOSFET 具有出色的雪崩能量能力，增强了系统的可靠性。
DTC044EEBTL 可广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、电源管理模块等领域。
在消费类电子产品中，它可用于笔记本电脑适配器、智能手机充电器等场景。
工业领域中，该器件适合用作固态继电器或可编程逻辑控制器的一部分。
同时，在汽车电子方面，它也能够胜任电池保护电路及照明控制等功能。
DTC044EDEBTL, DTC044LNEBTL
