您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HMT41GU6MFR8C-H9

HMT41GU6MFR8C-H9 发布时间 时间:2025/8/20 20:56:25 查看 阅读:11

HMT41GU6MFR8C-H9 是由SK hynix生产的一款高带宽内存(HBM,High Bandwidth Memory)模块,专为高性能计算(HPC)、图形处理、AI加速器和其他需要极高内存带宽的应用而设计。该模块采用堆叠式封装技术,通过硅通孔(TSV)实现多层DRAM芯片的垂直互连,从而显著提升数据传输速率并减小物理尺寸。HMT41GU6MFR8C-H9 具有高密度存储能力和出色的能效表现,适用于数据中心、图形处理器(GPU)、网络设备以及高端计算设备。

参数

容量:4GB
  内存类型:HBM2(High Bandwidth Memory Generation 2)
  封装形式:FCBGA(Flip Chip Ball Grid Array)
  接口标准:HBM2接口
  数据速率:最高可达2.4Gbps/pin
  电压:1.3V(VDD)和1.8V(VPP)
  工作温度范围:0°C至+95°C
  堆叠层数:8层DRAM Die
  带宽:约307GB/s(基于2.4Gbps和1024位总线宽度计算)
  封装尺寸:根据HBM标准封装规格,尺寸约为7.5mm x 7.5mm

特性

HMT41GU6MFR8C-H9 是一款基于HBM2标准的高性能内存模块,其核心特性体现在高带宽、小体积和低功耗设计上。首先,该模块通过采用1024位宽的并行接口和高达2.4Gbps的数据速率,实现了超过300GB/s的内存带宽,远超传统GDDR5或DDR4内存,能够满足GPU、AI加速器和高性能计算平台对数据吞吐量的极端需求。
  其次,HMT41GU6MFR8C-H9 使用硅通孔(TSV)技术将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起,并通过微凸块(micro-bumps)与逻辑芯片(如GPU或AI处理器)互连,极大地减少了内存模块的物理占用空间,同时提升了信号完整性和能效。这种3D封装技术不仅提高了存储密度,还降低了信号延迟和功耗。
  此外,该模块工作电压分别为1.3V和1.8V,具有良好的能效比。其工作温度范围为0°C至+95°C,适用于各种苛刻的工业和数据中心环境。封装形式为FCBGA(倒装芯片球栅阵列),有助于实现更高的电气性能和热管理能力。
  在可靠性方面,HMT41GU6MFR8C-H9 设计符合JEDEC HBM2标准,支持ECC(错误校正码)功能,能够检测和纠正单比特错误,确保数据完整性,适用于对数据可靠性要求极高的应用场景,如服务器、AI训练平台和科学计算。

应用

HMT41GU6MFR8C-H9 主要应用于需要极高内存带宽和小尺寸封装的高端计算平台,包括图形处理单元(GPU)、AI加速器、高性能计算(HPC)设备、网络交换机、深度学习服务器、数据中心加速卡以及嵌入式视觉系统。其高带宽和低功耗特性使其成为AI推理与训练、实时图像处理、大规模并行计算等场景的理想选择。

替代型号

H5TQ8G63MFR-H9C