类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-523
　　齐纳电压（Vz）：3.0 V（标称值）
　　齐纳电流（Iz）：5 mA（测试电流）
　　最大齐纳电流（Izmax）：100 mA
　　最大耗散功率：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大反向漏电流（IR）：100 nA（@ VR=1 V）

S-LBZX84C3V0LT1G 是一款高性能齐纳二极管，具备良好的电压稳定性和低温度系数。该器件采用先进的硅半导体技术制造，能够在广泛的温度范围内保持稳定的齐纳电压。其 SOD-523 小型封装非常适合空间受限的高密度 PCB 设计。此外，该器件具有较低的动态阻抗（Zzt），能够在负载变化时保持输出电压的稳定性，适用于对精度要求较高的模拟电路和电源管理模块。
　　其齐纳电压在标准测试条件下（Iz=5 mA）为 3.0 V，具有±5% 的容差（可根据客户需求选择不同容差等级）。该器件的反向漏电流极低，在 1 V 反向电压下最大仅为 100 nA，有助于减少电路中的静态功耗。同时，S-LBZX84C3V0LT1G 的最大耗散功率为 300 mW，能够在较宽的工作温度范围内（-55°C 至 +150°C）可靠运行，适用于工业级和汽车级电子系统。

S-LBZX84C3V0LT1G 广泛应用于需要稳定电压参考的电子电路中。常见用途包括：电源管理电路中的电压基准、模拟-数字转换器（ADC）和数字-模拟转换器（DAC）的参考电压源、电池供电设备中的低功耗稳压电路、电压检测和保护电路、便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的精密电压调节模块，以及汽车电子系统中的传感器供电和信号调节电路。

LBZX84C3V0LT1G, BZX84C3V0, MM3Z3V0T1G, Z-Cener-3.0V