时间：2025/8/28 18:01:42
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HMT325S6BFR8C-H9 是一款由 Hynix（现为 SK hynix）制造的 DDR3 SDRAM 内存芯片，主要用于高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统中。该芯片提供高速数据传输能力，并具有低功耗特性，适合对功耗和性能都有较高要求的应用场景。
类型：DRAM
内存类型：DDR3 SDRAM
容量：256MB
组织结构：x16
速度等级：800MHz
时钟频率：400MHz
电压：1.5V（标准）/1.35V（低电压）
封装类型：FBGA
引脚数：84
工作温度：-40°C 至 +85°C
数据预取：8n
突发长度：8
刷新周期：64ms
HMT325S6BFR8C-H9 具有多个显著的特性，使其在高性能应用中表现优异。首先，该芯片采用了 DDR3 技术，提供高达 800MHz 的数据速率，能够满足高速数据传输的需求。其 x16 的组织结构使得每个时钟周期可以传输 16 位数据，提高了数据带宽。此外，该芯片支持 1.5V 和 1.35V 两种电压模式，其中 1.35V 模式可显著降低功耗，适用于对能效要求较高的系统。其低功耗设计不仅有助于延长设备的使用寿命，还能减少散热需求，提高整体系统稳定性。该芯片采用 FBGA 封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于紧凑型电路设计。同时，HMT325S6BFR8C-H9 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适应各种严苛的工业环境，包括服务器、网络设备、嵌入式系统和工业控制设备等。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在断电情况下依然能够保持完整性。其 64ms 的刷新周期能够有效防止数据丢失，提高系统的可靠性。总的来说，HMT325S6BFR8C-H9 是一款高性能、低功耗、高可靠性的 DDR3 SDRAM 芯片，适用于多种高端应用。
HMT325S6BFR8C-H9 主要应用于高性能计算系统、服务器、网络交换机、路由器、嵌入式系统、工业控制设备、图形加速器和通信设备等领域。由于其高速数据传输能力和低功耗特性，它非常适合用于需要大量数据处理能力的系统中。例如，在服务器和数据中心中，该芯片可以作为主内存使用，提升系统的整体性能；在网络设备中，它能够有效支持高速数据包处理和缓存功能；在嵌入式系统和工业控制设备中，该芯片的宽温范围和高可靠性使其能够在恶劣环境下稳定运行。此外，该芯片还可用于高端图形处理设备和通信模块，满足对内存带宽和响应速度有严格要求的应用场景。
HMT325S6BFR8C-H9-A, HMT325S6BFR8C-H9-LA, H5TQ256A2GFR-PBA2
