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IRL3302S 发布时间 时间:2025/7/1 23:26:18 查看 阅读:10

IRL3302S 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装,适用于需要高效率和快速开关的应用场景。其低导通电阻和低栅极电荷使其成为电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用的理想选择。
  IRL3302S 的工作电压范围为 -0.3V 至 20V,能够承受较高的漏源电压。同时,由于其逻辑电平兼容设计,可以直接与常见的微控制器或逻辑电路连接,无需额外的驱动电路。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):60mΩ
  导通电阻(最大值,Vgs=10V):85mΩ
  栅极电荷:7nC
  总电容:150pF
  开关时间(典型值,tr+tf):25ns
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SO-8

特性

IRL3302S 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),可减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 高电流承载能力,满足多种功率转换需求。
  4. 逻辑电平兼容的栅极阈值电压,便于与微控制器或其他逻辑电路直接接口。
  5. 小型化封装 SO-8,节省 PCB 空间。
  6. 宽工作温度范围,适应恶劣环境下的稳定运行。
  这些特性使 IRL3302S 成为消费电子、工业控制和汽车电子领域的理想选择。

应用

IRL3302S 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
  3. 小功率电机驱动和控制。
  4. 固态继电器和信号切换。
  5. 便携式电子设备中的电源管理。
  6. 数据通信和网络设备中的高效功率传输。
  由于其低导通电阻和快速开关速度,IRL3302S 在需要高性能和高效率的应用中表现出色。

替代型号

IRLZ34N, AO3400, FDN340P

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IRL3302S参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C39A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 23A,7V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 15V
  • 功率 - 最大57W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3302S