时间：2025/9/7 17:23:57
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2SK2788VYTR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中。该器件采用小型表面贴装封装（SOT-23），适用于高密度PCB设计。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关特性和良好的热稳定性，能够在中等电流和电压条件下高效运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：12V
最大连续漏极电流（Id）：100mA（在Vgs=10V时）
导通电阻（Rds(on)）：约3Ω（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23（SMT）
2SK2788VYTR 以其高效的开关性能和稳定的电气特性而著称。其低导通电阻确保在导通状态下漏极与源极之间的电压降较小，从而降低功耗并提高系统效率。该MOSFET具有快速的上升和下降时间，使其适用于高频开关应用。此外，该器件具有良好的热稳定性和过温保护能力，能够在较高温度下可靠运行。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持在较低的Vgs电压下工作，提高了其在低功耗系统中的适用性。由于采用SOT-23封装，该器件体积小巧，便于集成在紧凑型电路板中，如便携式电子产品、传感器电路和小型电源模块。
此外，2SK2788VYTR在制造过程中采用了先进的硅加工技术，保证了器件的高一致性与可靠性。其低漏电流特性在关闭状态下可有效防止不必要的功耗，提升整体能效。
2SK2788VYTR 主要用于需要小型化和低功耗设计的电子设备中。典型应用包括便携式电子产品的电源开关、DC-DC转换器中的同步整流器、电池管理系统中的负载切换、LED驱动电路以及逻辑电平转换电路。
由于其良好的高频响应和低Rds(on)，该MOSFET也常用于音频放大器中的开关控制和电源管理模块中的低边开关应用。此外，在工业控制设备、智能传感器和物联网（IoT）设备中，该器件也被广泛用于实现高效的电源管理和负载控制。
2SK2788VYTR 的替代型号包括 2SK3018、2SK2786 和 2N3904（注意需验证电路兼容性）。这些型号在性能参数和封装上与2SK2788VYTR相近，但具体使用时应参考数据手册进行电气和热性能评估。
