类型：DRAM
　　容量：256MB
　　组织结构：16M x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装：TSOP
　　接口：Parallel
　　时钟频率：166MHz
　　工作温度：-40°C ~ 85°C

HMT164S6BFR6C-G7N0 是一款具有高性能和高可靠性的DRAM芯片。其主要特性包括：
　　1. 高容量：该芯片提供256MB的存储容量，采用16M x 16的组织结构，能够满足需要大内存缓冲的应用需求。
　　2. 宽电压范围：支持2.3V至3.6V的供电电压，使得其在不同的电源环境下都能稳定运行，适用于多种电源管理系统。
　　3. 高速操作：时钟频率达到166MHz，确保了快速的数据访问速度，提高了系统的整体性能。
　　4. 并行接口：采用并行数据接口，使得数据传输更加高效，适用于对数据吞吐量要求较高的系统。
　　5. 宽工作温度范围：可在-40°C至85°C的温度范围内正常工作，适合在各种工业和车载环境中使用。
　　6. TSOP封装：采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装技术，体积小、重量轻，适合高密度PCB布局。
　　7. 低功耗设计：在保持高性能的同时，该芯片优化了功耗管理，适用于对功耗敏感的应用场景。

HMT164S6BFR6C-G7N0 主要应用于需要高性能内存支持的电子设备，包括：
　　1. 网络设备：如路由器、交换机等，用于高速缓存转发数据包。
　　2. 工业控制系统：用于PLC、工业计算机等设备，提供稳定的内存支持。
　　3. 通信设备：如基站、无线接入点等，作为主存用于数据缓存和处理。
　　4. 消费类电子产品：例如高端电视、智能盒子等设备，用于提升系统运行效率。
　　5. 汽车电子系统：适用于车载信息娱乐系统和车载导航系统，满足高温环境下的稳定运行需求。
　　6. 嵌入式系统：用于工业自动化设备、医疗仪器等，提供可靠的内存解决方案。

HMT164S6BFR6C-G7N0的替代型号可以考虑HMT164S6BFR6C-G7N2，HMT164S6BFR6C-G7B4等