时间：2025/7/12 6:15:23
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CBR04C200F5GAC 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高功率应用设计。该器件采用增强型结构，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于电信、工业电源和射频放大器等领域。
型号：CBR04C200F5GAC
类型：GaN HEMT
封装：TO-263
额定电压：200 V
额定电流：12 A
导通电阻：7 mΩ
栅极电荷：25 nC
反向恢复时间：无（内置二极管为零反向恢复时间）
工作温度范围：-55 ℃ 至 +175 ℃
CBR04C200F5GAC 基于先进的氮化镓半导体技术制造，具备以下主要特点：
1. 高效能量转换：低导通电阻与快速开关速度结合，大幅降低导通损耗和开关损耗。
2. 小尺寸大功率：相比传统硅基MOSFET，该器件在相同功率等级下体积更小，散热性能更优。
3. 稳定性强：增强型设计确保其在正向偏置时开启，在零或负偏置时关闭，提供更高的可靠性。
4. 集成保护功能：内部集成了ESD保护电路以提高系统级稳定性。
5. 宽带隙材料优势：由于使用氮化镓，CBR04C200F5GAC能够在高温环境下稳定运行，并支持高频操作，非常适合现代高效能电源解决方案的需求。
该芯片广泛应用于需要高性能和高效率的场景，例如：
1. 通信基站中的DC-DC转换业自动化设备中的逆变器和电机驱动。
3. 数据中心服务器电源模块。
4. 光伏逆变器以及其他可再生能源相关的电力电子系统。
5. 汽车行业内的车载充电器和牵引逆变器等新能源汽车相关产品。
CBR04C200F5GAN, CBR04C200F5GAQ
