时间：2025/8/14 13:40:30
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BSS138W_R1_000A1是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件适用于低电压和中等功率应用，因其高效率、低导通电阻和快速开关特性而受到广泛欢迎。BSS138W_R1_000A1采用小型表面贴装封装，适用于空间受限的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大100mA
漏极-源极电压（VDS）：最大100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大3.5Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：最大300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-323（SC-70）
BSS138W_R1_000A1具有多项优良特性，使其在众多应用中表现出色。首先，其低导通电阻确保在导通状态下损耗较小，从而提高能效。其次，该MOSFET具备快速开关能力，适用于高频开关应用。此外，其小型SOT-323封装不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装工艺。BSS138W_R1_000A1还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业和消费类电子设备。
BSS138W_R1_000A1的栅极驱动电压范围较宽，在+4.5V至+20V之间均可正常工作，因此可以与多种控制器或驱动器兼容。该器件的漏极-源极击穿电压为100V，能够在较宽的电压范围内安全运行。此外，其低漏电流和高输入阻抗也使其适用于低功耗和高精度电路。
BSS138W_R1_000A1广泛应用于低电压开关、负载开关、电源管理、逻辑驱动电路、信号路由、LED驱动、便携式设备和工业控制系统等领域。由于其紧凑的封装和良好的电气性能，它特别适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关和负载控制电路。
2N7002, BSS123, FDV301N, SI2302
