STP13NK50Z 时间：2025/7/23 17:00:25 阅读：9

STP13NK50Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电压和高电流应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，使其在开关电源、电机控制和负载管理等应用中表现出色。STP13NK50Z采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于工业控制、电源适配器以及照明系统等多种场景。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STP13NK50Z的主要特性包括高击穿电压和强大的热稳定性，能够在高电压环境下可靠运行。其低导通电阻特性有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备快速开关能力，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提升整体性能。该器件还内置了过热保护功能，增强了在高负载条件下的工作稳定性。
　　另一个显著特点是其栅极驱动设计简单，只需较小的驱动功率即可实现高效开关，降低了驱动电路的复杂性和成本。同时，STP13NK50Z的封装设计确保了良好的散热性能，能够有效地将热量从芯片传导至外部环境，从而延长器件的使用寿命。这种MOSFET还具有抗雪崩击穿能力，能够在极端工作条件下保持稳定，适用于对可靠性要求较高的工业和电力电子应用。

应用

STP13NK50Z广泛应用于各类高电压和高功率场景，如开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机驱动器和电池充电器等。在电源管理系统中，该MOSFET可用于高效DC-DC转换器和AC-DC整流电路，实现高效的能量转换。此外，它还适用于工业自动化控制系统，如PLC和变频器，提供可靠的开关控制。在照明系统中，STP13NK50Z可用于高压卤素灯或LED灯的调光控制，确保稳定的亮度调节。在家电领域，该器件可用于微波炉、电饭煲等设备的电源控制模块，提高设备的能效和稳定性。