HMR105B7221KV-F是一款高性能的SiC MOSFET功率器件,专为高频、高效和高温应用而设计。该芯片采用了先进的碳化硅(Silicon Carbide)技术,具有极低的导通电阻和开关损耗,能够显著提升电源系统的效率和可靠性。
该产品广泛应用于光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电设备以及工业电机驱动等领域。其封装形式为TO-247-3L,具备出色的散热性能和机械稳定性。
最大电压:1200V
连续漏极电流:28A
导通电阻:22mΩ
栅极电荷:95nC
反向恢复时间:80ns
工作温度范围:-55℃至175℃
HMR105B7221KV-F的主要特性包括:
1. 高电压耐受能力,额定电压高达1200V,适用于高压环境下的各种应用场景。
2. 极低的导通电阻(22mΩ),大幅降低导通损耗,提高整体系统效率。
3. 快速开关特性,栅极电荷仅为95nC,确保高频操作时的高效表现。
4. 短反向恢复时间(80ns),进一步减少开关损耗。
5. 超宽的工作温度范围(-55℃至175℃),支持极端环境下的稳定运行。
6. TO-247-3L封装形式,提供优秀的散热性能和易用性。
HMR105B7221KV-F适合于多种高功率电子应用,包括但不限于:
1. 光伏逆变器:在太阳能发电系统中实现高效的直流到交流转换。
2. 不间断电源(UPS):提供稳定的备用电源支持,特别是在数据中心等关键设施中。
3. 电动汽车充电设备:用于快速充电桩中的功率转换模块。
4. 工业电机驱动:控制大功率电机的速度和扭矩,满足工业自动化需求。
5. 开关电源(SMPS):构建高效的小型化电源解决方案。
HMR105B7221KX-F, HMP105B7221KV-F