您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LMUN5230DW1T1G

LMUN5230DW1T1G 发布时间 时间:2025/8/13 14:07:40 查看 阅读:26

LMUN5230DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT)阵列器件,属于数字晶体管(Digital Transistor)类别。该器件内部集成了两个 NPN 型晶体管,每个晶体管的基极都内置了一个电阻,通常用于简化电路设计并减少外部元件数量。LMUN5230DW1T1G 适用于需要高速开关和逻辑控制的场合,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

参数

晶体管类型:NPN x2(双晶体管阵列)
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  基极-发射极电阻:10kΩ(典型值)
  频率响应:100MHz(典型)

特性

LMUN5230DW1T1G 的主要特性之一是其内置的基极电阻,这使得该器件非常适合用于数字电路中的开关应用,因为它可以省去外部限流电阻的设计。此外,该器件的双晶体管结构允许设计者在同一封装中实现多个开关功能,从而节省了PCB空间并降低了整体成本。
  该晶体管阵列具有良好的高频响应,适合用于高速开关和数字信号处理应用。其最大集电极-发射极电压为 50V,集电极电流额定值为 100mA,适用于中等功率的开关任务。在高温环境下,LMUN5230DW1T1G 仍能保持稳定的工作性能,其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,满足多种工业和汽车应用的需求。
  该器件采用 SOT-363 小型封装形式,适合表面贴装工艺(SMT),提高了组装效率并增强了可靠性。由于其高集成度和小尺寸,LMUN5230DW1T1G 非常适合用于便携式设备和高密度电路设计。

应用

LMUN5230DW1T1G 广泛应用于多个电子系统中,包括但不限于以下领域:工业自动化控制系统的输入/输出接口电路、LED 显示屏的驱动电路、数字逻辑电路中的电平转换和缓冲电路、继电器或电机的驱动控制电路、以及汽车电子系统中的信号处理和控制模块。
  在消费电子领域,该器件可用于家用电器中的微控制器外围电路,用于控制各种执行机构,如风扇、继电器或指示灯。在通信设备中,LMUN5230DW1T1G 可用于信号放大和开关控制。由于其良好的温度稳定性和高频响应,也适用于需要高速开关的应用场景,如脉冲宽度调制(PWM)控制和电源管理电路。

替代型号

MMUN2230LT1G, LMUN5232DW1T1G, FMMT617

LMUN5230DW1T1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

LMUN5230DW1T1G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载