HMPS-2822-TR1是一款由Avago Technologies(安华高)制造的高性能射频(RF)晶体管,适用于广泛的应用场景,如射频放大器、无线通信和广播设备等。这款晶体管采用了先进的制造工艺,具有良好的高频性能和稳定性,适用于各种高频和射频应用。
类型:射频晶体管(RF Transistor)
封装类型:表面贴装(SMD/SMT)
晶体管类型:NPN
频率范围:最高可达2 GHz
最大功率耗散:250 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):15 V
最大集电极电流(Ic):150 mA
增益:18 dB(典型值)
噪声系数:1.5 dB(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
HMPS-2822-TR1是一款基于GaAs(砷化镓)技术的高性能射频晶体管,具有优异的线性度和低噪声性能。其高频响应特性使其非常适合用于射频信号放大和低噪声前置放大器。这款晶体管的设计优化了其在2 GHz以下频率范围内的性能,适用于多种无线通信系统,如蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙和其他短距离无线通信应用。此外,它还具有出色的温度稳定性和可靠性,能够在极端工作条件下保持稳定的性能。该器件采用紧凑的表面贴装封装,便于在高密度PCB设计中使用,并且易于实现自动化装配。
HMPS-2822-TR1主要用于射频放大器、无线通信系统、广播设备、测试和测量仪器以及射频前端模块。它特别适合用于需要低噪声和高线性度的无线通信设备,如Wi-Fi接入点、蓝牙模块、ZigBee设备以及无线传感器网络。此外,该晶体管也可用于射频信号链中的中功率放大和低噪声前置放大应用,满足各种高性能射频系统的需要。
HMPS-2820-TR1, HMPS-2821-TR1