HMJ325B7473MNHT 是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低能量损耗并提高系统的整体性能。
该型号的命名规则中包含了封装形式、电气参数以及工作温度范围等信息,确保用户可以根据具体需求选择合适的版本。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vdss):700V
最大连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
栅极电荷(Qg):75nC
总功耗(Ptot):260W
工作结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
HMJ325B7473MNHT 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力,最大漏源电压可达700V,适合高压应用场景。
2. 低导通电阻设计,仅为0.18Ω,可有效减少传导损耗,提高效率。
3. 快速开关性能,栅极电荷较低,有助于降低开关损耗。
4. 超宽的工作温度范围,从-55℃到+175℃,能够在极端环境下稳定运行。
5. 大电流承载能力,最大连续漏极电流为18A,满足高功率应用需求。
6. 可靠性高,采用坚固的TO-247封装形式,散热性能优异,适合长时间高负载工作。
该功率MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):如AC/DC适配器、工业电源等,提供高效的功率转换。
2. 电机驱动:用于各类直流无刷电机、步进电机的驱动控制。
3. 逆变器:包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等,实现直流到交流的高效转换。
4. 电动工具:如电钻、电锯等,提供大电流输出和快速响应。
5. 汽车电子:如电动车窗、座椅调节系统等,支持高可靠性和高效率的功率管理。
6. 工业自动化设备:如伺服驱动器、PLC控制器等,适用于各种复杂工业环境。
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