时间：2025/4/30 19:07:55
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FDP33N25是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率控制电路中。其额定电压为250V，连续漏极电流可达3.3A，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
最大漏源电压(Vds)：250V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：3.3A
脉冲漏极电流(Ip)：8.2A
导通电阻(Rds(on))：1.9Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：18nC
总电容(Ciss)：1450pF
工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
FDP33N25采用了先进的工艺技术制造，具备以下特点：
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，能够支持高频操作。
4. 稳定的热特性，可在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 小型化封装，便于安装和散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业需求。
FDP33N25适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 消费电子产品中的高效功率转换部分。
IRFZ44N
STP36NF06
AO3400
