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FDP33N25 发布时间 时间:2025/4/30 19:07:55 查看 阅读:2

FDP33N25是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。该器件采用TO-220封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率控制电路中。其额定电压为250V,连续漏极电流可达3.3A,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。

参数

最大漏源电压(Vds):250V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):3.3A
  脉冲漏极电流(Ip):8.2A
  导通电阻(Rds(on)):1.9Ω(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):18nC
  总电容(Ciss):1450pF
  工作结温范围(Tj):-55℃至+150℃

特性

FDP33N25采用了先进的工艺技术制造,具备以下特点:
  1. 高耐压能力,适合高压应用环境。
  2. 低导通电阻设计,有助于减少功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关性能,能够支持高频操作。
  4. 稳定的热特性,可在较宽的工作温度范围内可靠运行。
  5. 小型化封装,便于安装和散热设计。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业需求。

应用

FDP33N25适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各类负载切换和保护电路。
  5. 工业设备中的功率管理模块。
  6. 消费电子产品中的高效功率转换部分。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  AO3400

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FDP33N25参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C94 毫欧 @ 16.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2135pF @ 25V
  • 功率 - 最大235W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件