类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：150A
　　最大漏源电压：55V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6（双侧散热）
　　栅极电荷（Qg）：约75nC
　　功耗（Ptot）：300W

PFB5500 MOSFET的主要特性之一是其超低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的Rds(on)在Vgs=10V时仅为2.5mΩ，适合高电流应用。
　　此外，PFB5500采用了PowerFLAT 5x6封装，这种封装形式不仅体积小巧，还支持双侧散热，有助于提高散热性能和功率密度。对于空间受限和热管理要求严格的设计来说，这是一个显著优势。
　　该器件的高栅极电荷（Qg）值（约75nC）意味着其开关损耗可能相对较高，因此更适合在中低频开关应用中使用，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路等。
　　PFB5500的额定漏极电流高达150A，可承受较大的负载电流，非常适合高功率密度设计。此外，其最大漏源电压为55V，适用于多种中压功率转换应用。
　　由于采用了先进的硅技术和优化的封装设计，PFB5500具有良好的热稳定性和耐用性，可以在恶劣的温度环境下工作，工作温度范围从-55°C到175°C，适用于工业级和汽车级应用。

PFB5500 MOSFET广泛应用于各种功率电子系统中，例如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电源管理系统以及电机控制电路等。此外，由于其高电流容量和低导通电阻特性，PFB5500也常用于电池供电设备、电动工具、无人机和新能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）中。在汽车电子领域，PFB5500可被用于车载充电器、车身控制系统和LED照明驱动电路等场景。

STL150N5LLF, IPB055N15N5, FDD150N55C