HMJ212BB7103KGHT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提高系统效率并减少能量损耗。
其封装形式为 TO-263(D2PAK),具有较高的电流承载能力和散热能力,适合在高功率密度的应用场景中使用。
型号:HMJ212BB7103KGHT
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:150A
导通电阻(典型值):1.2mΩ
栅极电荷(典型值):180nC
开关频率:最高可达 1MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
HMJ212BB7103KGHT 的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力,这使得它非常适合用于需要高效功率传输的场合。同时,其快速开关特性和较低的栅极电荷减少了开关损耗,进一步提高了系统的整体效率。
此外,该器件采用了坚固耐用的设计,在极端温度条件下也能保持稳定的工作性能。其 D2PAK 封装还提供了出色的散热性能,确保在高功率应用中的可靠运行。
由于其优异的电气性能和可靠性,这款 MOSFET 被广泛应用于工业自动化设备器以及各类高功率电子设备中。
该芯片适用于以下领域:
1. 工业电机驱动与控制
2. 高效 DC-DC 转换器
3. 电动车充电站
4. 太阳能微逆变器
5. 不间断电源(UPS)系统
6. 各类高功率电源管理模块
其在这些领域的应用能够显著提升系统的效率、可靠性和稳定性。
HMJ212BB7102KGHT, IRF7832, FDP5500