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HMJ212BB7103KGHT 发布时间 时间:2025/7/12 1:38:30 查看 阅读:10

HMJ212BB7103KGHT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提高系统效率并减少能量损耗。
  其封装形式为 TO-263(D2PAK),具有较高的电流承载能力和散热能力,适合在高功率密度的应用场景中使用。

参数

型号:HMJ212BB7103KGHT
  类型:N沟道 MOSFET
  封装:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:150A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷(典型值):180nC
  开关频率:最高可达 1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

HMJ212BB7103KGHT 的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力,这使得它非常适合用于需要高效功率传输的场合。同时,其快速开关特性和较低的栅极电荷减少了开关损耗,进一步提高了系统的整体效率。
  此外,该器件采用了坚固耐用的设计,在极端温度条件下也能保持稳定的工作性能。其 D2PAK 封装还提供了出色的散热性能,确保在高功率应用中的可靠运行。
  由于其优异的电气性能和可靠性,这款 MOSFET 被广泛应用于工业自动化设备器以及各类高功率电子设备中。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 工业电机驱动与控制
  2. 高效 DC-DC 转换器
  3. 电动车充电站
  4. 太阳能微逆变器
  5. 不间断电源(UPS)系统
  6. 各类高功率电源管理模块
  其在这些领域的应用能够显著提升系统的效率、可靠性和稳定性。

替代型号

HMJ212BB7102KGHT, IRF7832, FDP5500

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HMJ212BB7103KGHT参数

  • 现有数量50现货
  • 价格1 : ¥2.70000剪切带(CT)2,000 : ¥0.61024卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容10000 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性软端子
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级,Boardflex 敏感
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-