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HMF325B7224KNHT 发布时间 时间:2025/7/2 15:41:49 查看 阅读:21

HMF325B7224KNHT 是一款由 Hitachi 生产的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等高效率功率转换场景。该芯片采用 N 沟道增强型技术,具有低导通电阻和快速开关性能的特点,能够显著降低功率损耗并提高系统的整体效率。
  其封装形式为 TO-263(D2PAK),具备良好的散热性能,适合在高功率密度环境中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关时间:开启时间 15ns,关闭时间 25ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

HMF325B7224KNHT 的核心优势在于其卓越的电气性能与可靠性。首先,它拥有非常低的导通电阻(2.5mΩ),这使得在大电流应用中可以显著减少传导损耗,提升效率。其次,其快速的开关时间(开启时间 15ns 和关闭时间 25ns)使其非常适合高频开关应用。
  此外,这款器件的最大漏源电压为 60V,支持高达 32A 的连续漏极电流,确保在严苛的工作条件下仍能保持稳定性能。同时,该芯片的封装形式 TO-263 提供了出色的散热能力,能够在高温环境下长时间运行。
  HMF325B7224KNHT 还具有较宽的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),能够适应各种恶劣环境下的应用需求。总体而言,这款功率 MOSFET 是需要高效、可靠功率转换解决方案的理想选择。

应用

HMF325B7224KNHT 广泛应用于以下领域:
  1. 高频开关电源
  2. 电机驱动与控制
  3. DC-DC 转换器
  4. 太阳能逆变器
  5. 工业自动化设备
  6. 电动车及混合动力汽车的功率管理系统
  7. 不间断电源(UPS)系统
  这些应用都要求高效的功率转换和可靠的运行性能,而 HMF325B7224KNHT 凭借其低导通电阻和快速开关特性,在上述领域表现出色。

替代型号

HMF325B7224KNHTL, IRF3205, FDP55N06L

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HMF325B7224KNHT参数

  • 现有数量2,938现货
  • 价格1 : ¥3.66000剪切带(CT)2,000 : ¥1.01747卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.22 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.083"(2.10mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-