时间：2025/5/22 15:48:28
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GA0805H222MBBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高效率并减少发热。
该型号属于沟道增强型 MOSFET，适用于高频率工作环境下的电力电子设备，支持大电流负载操作，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
最大漏源电压(Vdss)：80V
最大连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
总电容(Ciss)：2200pF
功耗(PD)：160W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C to 175°C
GA0805H222MBBBT31G 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 2.2mΩ，这使其在高电流应用场景中表现出色。此外，它的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，并减少开关损耗。器件的高耐压能力 (80V) 和强大的电流承载能力 (50A) 使得它适合于工业级和汽车级应用。该芯片还拥有宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 175°C)，进一步提升了其在极端条件下的适应性。
此款 MOSFET 还采用了 TO-247 封装，便于散热管理，从而提高了整体系统的稳定性与可靠性。
这款功率 MOSFET 广泛应用于各种需要高效能量转换和控制的场合，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动器
- 工业逆变器
- 太阳能微逆变器
- 电动车充电系统
- 高效 LED 驱动电路
由于其出色的性能表现，GA0805H222MBBBT31G 成为设计工程师在开发高效率、高功率密度产品的首选元器件之一。
GA0805H222MBBCT31G
IRFP2907
FDP057N06L
